| Titre : | Propriétés électroniques et élastiques des chalcogenites |
| Auteurs : | Larabi Hannachi ; N. Bouarissa, Directeur de thèse |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | Sétif : Université Ferhat Abbas faculté des sciences département de physique, 2010 |
| ISBN/ISSN/EAN : | TS4/8089 |
| Format : | 1 vol. (76 f.) / ill. |
| Note générale : | Bibliogr. |
| Langues: | Français |
| Catégories : | |
| Note de contenu : |
Sommaire: -Introduction -Chapitre I: méthode du pseudo potentiel 11. formulation mathématique 12 .modèles du pseudo potentiel 12.1 Modèle local 121.a modèle d'Asheroft 121.b modèle de Heine Abarenkov 12.2 Modèle non local 12.2.a modèle de Heine Abarenkov 12.2.b Modèle de Gauss 12.2.c modèle d'Asheroft 1.3 Méthode empirique locale du pseudo potentiel (EPM) -Chapitre II: théories des alliages semi conducteurs 2.1 L'approximation du cristal virtuel 2.1.a les alliages ternaires -Chapitre III: les propriétés élastiques 3.1 Le tenseur des déformations 3.2 le tenseur des contra 3.3 la loi de Houke 3.4 Densité d énergie élastique 3.5 Modèle de compression et de compressibilité 3.6 Méthode de calcul -Chapitre IV: résultats et discutions 4.1 Propriétés électroniques 4.1.1 Les composés binaires (cd.te) ;(cd.se) ; (zn.te); (zn.te) 4.1.1.a Gaps énergétiques et structures de bandes 4.1.1.b Masse effective - 2 -4.1.2 Le compose ternaire cd Se Te 4.1.2 .a Gaps énergétiques et structures de bandes 4.1.2.b densité de charges -Conclusion |
Exemplaires (1)
| Cote | Support | Localisation | Disponibilité |
|---|---|---|---|
| TS4/8089 | Thèse | Bibliothèque centrale | Disponible |
Accueil
