| Titre : | Contribution a l'étude de la croissance des cavités d'hydrogène dans les semi conducteurs |
| Auteurs : | Fouad Okba ; Abdelali Merabet, Directeur de thèse |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | Sétif : Université Ferhat Abbas faculté des Sciences de l’ingénieur département d’optique et de mécanique de précision, 2011 |
| ISBN/ISSN/EAN : | TS4/8100 |
| Format : | 1 vol.(90 f.) / ill. |
| Note générale : | Bibliogr. |
| Langues: | Français |
| Catégories : | |
| Résumé : |
Parmi les matériaux de base utilisés en microélectronique pour la fabrication de substrats innovants,le silicium sur isolant (SOI*Silicon On Insulator*),fabriqué par la technologie Smart Cut tm ,aréussi a tirer son épingle du jeu. Le SOI permet d'améliorer les performances des composants (transistors plus rapides, consommation d'énergie réduite) . |
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| Cote | Support | Localisation | Disponibilité |
|---|---|---|---|
| TS4/8100 | Thèse | Bibliothèque centrale | Disponible |
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