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Physique des plasmas / Jean-Marcel Rax
Titre : Physique des plasmas : Cours et applications Type de document : texte imprimé Auteurs : Jean-Marcel Rax, Auteur Editeur : Paris : Dunod Année de publication : 2005 Collection : Sciences sup Importance : 1 vol. (426 p.) Présentation : ill., couv. ill. en coul. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-10-007250-7 Note générale : 978-2-10-007250-7 Langues : Français (fre) Catégories : Physique Mots-clés : Électricité
Plasma(gaz ionisés)
Physique des plasmasIndex. décimale : 530.4 - États de la matière Résumé :
Cet ouvrage s'adresse aux étudiants en master (Ml et M2) et licence (L3) ainsi qu'aux élèves des écoles d'ingénieurs. Il est issu d'un cours de physique des plasmas dispensé ces dernières années devant différents auditoires : à l'université de Paris XI (L3, M1 et M2), à l'Ecole Normale Supérieure de Cachan (L3), à l'Ecole Polytechnique (M2), à l'Ecole Centrale (M1) et à l'Ecole Supérieure d'Electricité (L3). Il est d'usage de structurer la physique des plasmas en trois domaines et de distinguer respectivement : la physique des plasmas industriels (réacteurs pour les nanotechnologies et propulseurs spatiaux), la physique des plasmas naturels (environnement terrestre et astrophysique) et la physique des plasmas thermonucléaires (tokamak et interaction laser-plasma). Ces trois domaines possèdent en commun un ensemble d'outils, de méthodes et de résultats constituant la physique des plasmas. Ce cours, à vocation généraliste, est construit autour de cet ensemble de connaissances et résultats communs à ces trois domaines. Il peut être adopté comme manuel de base aux niveaux L3 et Ml ou comme monographie de référence pour les ingénieurs et chercheurs confrontés à des problèmes de physique des plasmas.Note de contenu :
Sommaire
Electrons, ions et plasmas
Champs, particules et fluides
Phénomènes collectifs
Collisions et réactions
Interactions champs-particules
Dynamique et structures électriques
Dynamique et structures magnétiques
Ondes, oscillations et résonances
Collision, relaxation et transport
Adiabaticité, résonances et chaosCôte titre : Fs/12211-12215,Fs/12659,Fs/2722-2733 Physique des plasmas : Cours et applications [texte imprimé] / Jean-Marcel Rax, Auteur . - Paris : Dunod, 2005 . - 1 vol. (426 p.) : ill., couv. ill. en coul. ; 24 cm. - (Sciences sup) .
ISBN : 978-2-10-007250-7
978-2-10-007250-7
Langues : Français (fre)
Catégories : Physique Mots-clés : Électricité
Plasma(gaz ionisés)
Physique des plasmasIndex. décimale : 530.4 - États de la matière Résumé :
Cet ouvrage s'adresse aux étudiants en master (Ml et M2) et licence (L3) ainsi qu'aux élèves des écoles d'ingénieurs. Il est issu d'un cours de physique des plasmas dispensé ces dernières années devant différents auditoires : à l'université de Paris XI (L3, M1 et M2), à l'Ecole Normale Supérieure de Cachan (L3), à l'Ecole Polytechnique (M2), à l'Ecole Centrale (M1) et à l'Ecole Supérieure d'Electricité (L3). Il est d'usage de structurer la physique des plasmas en trois domaines et de distinguer respectivement : la physique des plasmas industriels (réacteurs pour les nanotechnologies et propulseurs spatiaux), la physique des plasmas naturels (environnement terrestre et astrophysique) et la physique des plasmas thermonucléaires (tokamak et interaction laser-plasma). Ces trois domaines possèdent en commun un ensemble d'outils, de méthodes et de résultats constituant la physique des plasmas. Ce cours, à vocation généraliste, est construit autour de cet ensemble de connaissances et résultats communs à ces trois domaines. Il peut être adopté comme manuel de base aux niveaux L3 et Ml ou comme monographie de référence pour les ingénieurs et chercheurs confrontés à des problèmes de physique des plasmas.Note de contenu :
Sommaire
Electrons, ions et plasmas
Champs, particules et fluides
Phénomènes collectifs
Collisions et réactions
Interactions champs-particules
Dynamique et structures électriques
Dynamique et structures magnétiques
Ondes, oscillations et résonances
Collision, relaxation et transport
Adiabaticité, résonances et chaosCôte titre : Fs/12211-12215,Fs/12659,Fs/2722-2733 Exemplaires (18)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité Fs/12211 Fs/12211-12215 livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/12212 Fs/12211-12215 livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/12213 Fs/12211-12215 livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/12214 Fs/12211-12215 livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/12215 Fs/12211-12215 livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/12659 Fs/12659 livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/2724 Fs/2722-2733 Livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/2725 Fs/2722-2733 Livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/2726 Fs/2722-2733 Livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/2722 Fs/2722-2733 Livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/2723 Fs/2722-2733 Livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/2730 Fs/2722-2733 Livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/2731 Fs/2722-2733 Livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/2728 Fs/2722-2733 Livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/2727 Fs/2722-2733 Livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/2729 Fs/2722-2733 Livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/2732 Fs/2722-2733 Livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/2733 Fs/2722-2733 Livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponiblePhysique des semi-conducteurs / Christian Ngô
Titre : Physique des semi-conducteurs : cours et exercices corrigés Type de document : texte imprimé Auteurs : Christian Ngô (1948-....), Auteur ; Hélène Ngô (1947-....), Auteur Mention d'édition : 3e éd. Editeur : Paris : Dunod Année de publication : 2007 Collection : Sciences sup Importance : 1 vol. (230 p.) Présentation : ill., couv. ill. en coul. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-10-051279-9 Note générale : Bibliogr. p. 225-226. Index Langues : Français (fre) Catégories : Physique Mots-clés : Semiconducteurs : Problèmes et exercices Index. décimale : 621.3 - Éclairage, électronique, électrotechnique, génie informatique, optique appliquée Résumé :
Depuis l'invention du transistor en 1948, l'électronique a envahi la vie courante : maison, travail, transports... Beaucoup d'objets de la vie quotidienne contiennent de nombreux dispositifs électroniques à semi-conducteurs. Actuellement, ces dispositifs ont une importance économique et stratégique considérable pour le traitement de l'information et de la communication. Cet ouvrage fournit les bases nécessaires pour comprendre le fonctionnement microscopique des composants électroniques élémentaires. Il décrit le principe physique de fonctionnement des composants les plus utilisés (jonctions, transistors, etc.). Dans cette 3e édition entièrement actualisée, un nouveau chapitre supplémentaire est consacré aux nanotechnologies. Des exercices corrigés complètent le cours. Ce livre s'adresse aux étudiants en Master EEA et aux élèves des écoles d'ingénieurs.
Note de contenu :
Sommaire :
Avant-propos
Rappels utiles
Chapitre 1 Physique quantique
Chapitre 2 Physique statistique
Chapitre 3 Structure cristalline
Chapitre 4 Bandes d'énergie
Chapitre 5 Dynamique du réseau
Chapitre 6 Semi-conducteurs à l'équilibre
Chapitre 7 Dynamique des électrons
Chapitre 8 Dispositifs élémentaires (I)
Chapitre 9 Dispositifs élémentaires (II)
Chapitre 10 Propriétés optiques
Chapitre 11 Vers l'échelle nanométrique
Chapitre 12 Nanotechnologies, nano-électronique, nanosystèmes
Bibliographie
IndexCôte titre : Fs/7495-7499,Fs/6390-6393 Physique des semi-conducteurs : cours et exercices corrigés [texte imprimé] / Christian Ngô (1948-....), Auteur ; Hélène Ngô (1947-....), Auteur . - 3e éd. . - Paris : Dunod, 2007 . - 1 vol. (230 p.) : ill., couv. ill. en coul. ; 24 cm. - (Sciences sup) .
ISBN : 978-2-10-051279-9
Bibliogr. p. 225-226. Index
Langues : Français (fre)
Catégories : Physique Mots-clés : Semiconducteurs : Problèmes et exercices Index. décimale : 621.3 - Éclairage, électronique, électrotechnique, génie informatique, optique appliquée Résumé :
Depuis l'invention du transistor en 1948, l'électronique a envahi la vie courante : maison, travail, transports... Beaucoup d'objets de la vie quotidienne contiennent de nombreux dispositifs électroniques à semi-conducteurs. Actuellement, ces dispositifs ont une importance économique et stratégique considérable pour le traitement de l'information et de la communication. Cet ouvrage fournit les bases nécessaires pour comprendre le fonctionnement microscopique des composants électroniques élémentaires. Il décrit le principe physique de fonctionnement des composants les plus utilisés (jonctions, transistors, etc.). Dans cette 3e édition entièrement actualisée, un nouveau chapitre supplémentaire est consacré aux nanotechnologies. Des exercices corrigés complètent le cours. Ce livre s'adresse aux étudiants en Master EEA et aux élèves des écoles d'ingénieurs.
Note de contenu :
Sommaire :
Avant-propos
Rappels utiles
Chapitre 1 Physique quantique
Chapitre 2 Physique statistique
Chapitre 3 Structure cristalline
Chapitre 4 Bandes d'énergie
Chapitre 5 Dynamique du réseau
Chapitre 6 Semi-conducteurs à l'équilibre
Chapitre 7 Dynamique des électrons
Chapitre 8 Dispositifs élémentaires (I)
Chapitre 9 Dispositifs élémentaires (II)
Chapitre 10 Propriétés optiques
Chapitre 11 Vers l'échelle nanométrique
Chapitre 12 Nanotechnologies, nano-électronique, nanosystèmes
Bibliographie
IndexCôte titre : Fs/7495-7499,Fs/6390-6393 Exemplaires (9)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité Fs/6390 Fs/6390-6393 livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/6391 Fs/6390-6393 livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/6392 Fs/6390-6393 livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/6393 Fs/6390-6393 livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/7499 Fs/7495-7499 livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/7498 Fs/7495-7499 livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/7497 Fs/7495-7499 livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/7496 Fs/7495-7499 livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/7495 Fs/7495-7499 livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponiblePhysique des semi-conducteurs / Ngô, Christian
Titre : Physique des semi-conducteurs : Cours et exercices corrigés Type de document : texte imprimé Auteurs : Ngô, Christian, Auteur ; Ngô, Hélène, Auteur Mention d'édition : 4e éd. Editeur : Paris : Dunod Année de publication : 2012 Collection : Sciences sup Importance : 1 vol (238 p.) Présentation : ill., couv. ill. en coul. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-10-057896-2 Note générale : 978-2-10-057896-2 Langues : Français (fre) Langues originales : Français (fre) Catégories : Physique Mots-clés : Semiconducteurs : Manuels d'enseignement supérieur
Semiconducteurs : Problèmes et exercicesIndex. décimale : 621.3 Éclairage, électronique, électrotechnique, génie informatique, optique appliquée Résumé :
Ce livre s'adresse aux étudiants des masters EEA et aux élèves des écoles d'ingénieurs.
Les composants électroniques sont partout (montre, téléphone portable, automobile, etc.). Ils simplifient la vie, améliorent le confort et permettent aux systèmes qui les contiennent des performances nouvelles ou exceptionnelles. Ces composants sont pour la plupart réalisés à partir de semi-conducteurs cristallins, en majorité du silicium.
Cet ouvrage donne les bases nécessaires pour comprendre le fonctionnement microscopique des composants électroniques élémentaires après avoir introduit des notions en physique statistique et quantique. Les semi-conducteurs utilisés en
micro-électronique sont des cristaux et cette caractéristique leur confère des propriétés spéciales qui sont étudiées en détail. Cela permet de comprendre le principe de fonctionnement des principaux composants élémentaires (jonctions, diodes, transistors, etc.) et leurs propriétés optiques. Enfin, l'ouvrage aborde de manière simple la nano-électronique, un domaine en pleine expansion.
Des exercices corrigés complètent le cours à la fin de chaque chapitreNote de contenu :
Sommaire
1-Physique quantique
2-Physique statistique
3-Structure cristalline
4-Bandes d'énergie
5-Dynamique du réseau
6-Semi-conducteurs à l'équilibre
7-Dynamique des électrons
8-Dispositifs élémentaires (I)
9-Dispositifs élémentaires (II)
10,Propriétés optiques
11,Vers l'échelle nanométrique
12,Du nanomonde aux applicationsCôte titre : Fs/12469,Fs/12412-12413,Fs/20662 Physique des semi-conducteurs : Cours et exercices corrigés [texte imprimé] / Ngô, Christian, Auteur ; Ngô, Hélène, Auteur . - 4e éd. . - Paris : Dunod, 2012 . - 1 vol (238 p.) : ill., couv. ill. en coul. ; 24 cm. - (Sciences sup) .
ISBN : 978-2-10-057896-2
978-2-10-057896-2
Langues : Français (fre) Langues originales : Français (fre)
Catégories : Physique Mots-clés : Semiconducteurs : Manuels d'enseignement supérieur
Semiconducteurs : Problèmes et exercicesIndex. décimale : 621.3 Éclairage, électronique, électrotechnique, génie informatique, optique appliquée Résumé :
Ce livre s'adresse aux étudiants des masters EEA et aux élèves des écoles d'ingénieurs.
Les composants électroniques sont partout (montre, téléphone portable, automobile, etc.). Ils simplifient la vie, améliorent le confort et permettent aux systèmes qui les contiennent des performances nouvelles ou exceptionnelles. Ces composants sont pour la plupart réalisés à partir de semi-conducteurs cristallins, en majorité du silicium.
Cet ouvrage donne les bases nécessaires pour comprendre le fonctionnement microscopique des composants électroniques élémentaires après avoir introduit des notions en physique statistique et quantique. Les semi-conducteurs utilisés en
micro-électronique sont des cristaux et cette caractéristique leur confère des propriétés spéciales qui sont étudiées en détail. Cela permet de comprendre le principe de fonctionnement des principaux composants élémentaires (jonctions, diodes, transistors, etc.) et leurs propriétés optiques. Enfin, l'ouvrage aborde de manière simple la nano-électronique, un domaine en pleine expansion.
Des exercices corrigés complètent le cours à la fin de chaque chapitreNote de contenu :
Sommaire
1-Physique quantique
2-Physique statistique
3-Structure cristalline
4-Bandes d'énergie
5-Dynamique du réseau
6-Semi-conducteurs à l'équilibre
7-Dynamique des électrons
8-Dispositifs élémentaires (I)
9-Dispositifs élémentaires (II)
10,Propriétés optiques
11,Vers l'échelle nanométrique
12,Du nanomonde aux applicationsCôte titre : Fs/12469,Fs/12412-12413,Fs/20662 Exemplaires (4)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité Fs/12412 Fs/12412-12413 Livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/12413 Fs/12412-12413 Livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/12469 Fs/12469 Livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/20662 Fs/20662 livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponiblePhysique des semiconducteurs et des composants électroniques / Henry Mathieu
Titre : Physique des semiconducteurs et des composants électroniques : problèmes résolus Type de document : texte imprimé Auteurs : Henry Mathieu (1940-....), Auteur ; Thierry Bretagnon (1960-....), Auteur ; Pierre Lefebvre (1963-....), Auteur Editeur : Paris : Dunod Année de publication : 2001 Collection : Sciences sup Importance : 1 vol (188 p.) Présentation : ill., couv. ill. en coul. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-10-004662-1 Note générale : La couv. porte en plus : "2e et 3e cycles, écoles d'ingénieurs"
IndexLangues : Français (fre) Catégories : Physique Mots-clés : Semiconducteurs : Problèmes et exercices
Composants électroniquesIndex. décimale : 537.5 Physique de l'électronique Résumé :
Ce recueil de 42 problèmes résolus complète le cours Physique des semi-conducteurs et des composants électroniques de Henry Mathieu.
Les problèmes sont répartis en cinq parties
• la première aborde les différents phénomènes et effets physiques qui régissent les caractéristiques des électrons dans les semi-conducteurs ;
• la deuxième est consacrée aux composants bipolaires et aux propriétés de la jonction pn qui constitue la structure de base de ces composants;
• la troisième partie traite des composants unipolaires avec les hétérostructures (contact métal/semi-conducteur ; métal/isolant/ semi-conducteur) ainsi que des composants actifs, tels que les différents types de transistors à effet de champ ;
• dans la quatrième partie, le domaine important des composants optoélectroniques est abordé en traitant les phénomènes d'interaction du rayonnement avec le semi-conducteur et avec les cellules photoconductrices, photodiodes, cellules solaires, diodes électroluminescentes et diodes lasers ;
• la dernière traite des effets quantiques rencontrés dans les hétérostructures semi-conductrices.
Certains problèmes, dont la résolution est numérique, permettent de comparer les solutions exactes des équations aux solutions approchées. Les programmes utilisent le logiciel Maple V.Note de contenu :
SOMMAIRE
PARTIE 1 / PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS
CHAPITRE 1 * SEMI-CONDUCTEURS HOMOGÈNES
1.1 Semiconducteur compensé
1.2 Semiconducteur non-dégénéré
1.3 Semiconducteur dégénéré
1.4 Effet de la température
CHAPITRE 2 * SEMICONDUCTEURS À PROFIL DE DOPAGE QUELCONQUE
2.1 Profil de dopage - Distribution des porteurs
2.2 Profil de dopage - Charge d'espace
2.3 Profil de dopage - Résistivité
CHAPITRE 3 * SEMICONDUCTEUR HORS ÉQUILIBRE
3.1 Effet Hall
3.2 Émission thermoélectronique
3.3 Effet Gunn
PARTIE 2 / COMPOSANTS BIPOLAIRES
CHAPITRE 4 * JONCTION pn À L'ÉQUILIBRE THERMODYNAMIQUE
4.1 Jonction pn abrupte
4.2 Jonction pn graduelle
4.3 Jonction pn à profil variable
CHAPITRE 5 * JONCTION pn HORS ÉQUILIBRE
5.1 Jonction pn abrupte polarisée
5.2 Jonction pn - Courants de génération/recombinaison
5.3 Jonction pn - Injection des porteurs
5.4 Jonction pn en régime alternatif
CHAPITRE 6 * MULTIJONCTIONS À L'ÉQUILIBRE THERMODYNAMIQUE
6.1 Jonction pin - Capacité
6.2 Structure CCD - Distribution des champs et potentiel électriques
CHAPITRE 7 * TRANSISTORS BIPOLAIRES
7.1 Transistor à base homogène
7.2 Transistor à base exponentielle
7.3 Effet Early
PARTIE 3 / COMPOSANTS UNIPOLAIRES
CHAPITRE 8 * DIODES SCHOTTKY
8.1 Diode Schottky à l'équilibre
8.2 Diode Schottky polarisée
8.3 Diode Schottky : C(V)
CHAPITRE 9 * STRUCTURE MÉTAL ISOLANT SEMICONDUCTEUR
9.1 Capacité MIS en régime stationnaire
9.2 Capacité MOS en régime transitoire
CHAPITRE 10 * TRANSISTORS UNIPOLAIRES
10.1 Transistor JFET en régime linéaire
10.2 Transistor JFET en régime de saturation
10.3 Transistor MOSFET
PARTIE 4 / COMPOSANTS OPTOÉLECTRONIQUES
CHAPITRE 11 * INTERACTION RAYONNEMENT-SEMICONDUCTEUR
11.1 Photogénération de porteurs
11.2 Distribution des photoporteurs en régime stationnaire
11.3 Champ électrique interne
11.4 Éclairement stationnaire localisé
11.5 Éclairement variable localisé
CHAPITRE 12 * PHOTODÉTECTEURS
12.1 Cellule photoconductrice
12.2 Cellule photovoltaïque
12.3 Photopile
CHAPITRE 13 * PHOTOÉMETTEURS
13.1 Diode électroluminescente - LED
13.2 Diode laser - LD
PARTIE 5 / EFFETS QUANTIQUES
CHAPITRE 14 * HÉTÉROSTRUCTURES À EFFETS QUANTIQUES
14.1 Puits quantique GaAs/GaAIAs
14.2 Hétérostructures complexes : méthode des matrices de transfert
INDEXPhysique des semiconducteurs et des composants électroniques : problèmes résolus [texte imprimé] / Henry Mathieu (1940-....), Auteur ; Thierry Bretagnon (1960-....), Auteur ; Pierre Lefebvre (1963-....), Auteur . - Paris : Dunod, 2001 . - 1 vol (188 p.) : ill., couv. ill. en coul. ; 24 cm. - (Sciences sup) .
ISBN : 978-2-10-004662-1
La couv. porte en plus : "2e et 3e cycles, écoles d'ingénieurs"
Index
Langues : Français (fre)
Catégories : Physique Mots-clés : Semiconducteurs : Problèmes et exercices
Composants électroniquesIndex. décimale : 537.5 Physique de l'électronique Résumé :
Ce recueil de 42 problèmes résolus complète le cours Physique des semi-conducteurs et des composants électroniques de Henry Mathieu.
Les problèmes sont répartis en cinq parties
• la première aborde les différents phénomènes et effets physiques qui régissent les caractéristiques des électrons dans les semi-conducteurs ;
• la deuxième est consacrée aux composants bipolaires et aux propriétés de la jonction pn qui constitue la structure de base de ces composants;
• la troisième partie traite des composants unipolaires avec les hétérostructures (contact métal/semi-conducteur ; métal/isolant/ semi-conducteur) ainsi que des composants actifs, tels que les différents types de transistors à effet de champ ;
• dans la quatrième partie, le domaine important des composants optoélectroniques est abordé en traitant les phénomènes d'interaction du rayonnement avec le semi-conducteur et avec les cellules photoconductrices, photodiodes, cellules solaires, diodes électroluminescentes et diodes lasers ;
• la dernière traite des effets quantiques rencontrés dans les hétérostructures semi-conductrices.
Certains problèmes, dont la résolution est numérique, permettent de comparer les solutions exactes des équations aux solutions approchées. Les programmes utilisent le logiciel Maple V.Note de contenu :
SOMMAIRE
PARTIE 1 / PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS
CHAPITRE 1 * SEMI-CONDUCTEURS HOMOGÈNES
1.1 Semiconducteur compensé
1.2 Semiconducteur non-dégénéré
1.3 Semiconducteur dégénéré
1.4 Effet de la température
CHAPITRE 2 * SEMICONDUCTEURS À PROFIL DE DOPAGE QUELCONQUE
2.1 Profil de dopage - Distribution des porteurs
2.2 Profil de dopage - Charge d'espace
2.3 Profil de dopage - Résistivité
CHAPITRE 3 * SEMICONDUCTEUR HORS ÉQUILIBRE
3.1 Effet Hall
3.2 Émission thermoélectronique
3.3 Effet Gunn
PARTIE 2 / COMPOSANTS BIPOLAIRES
CHAPITRE 4 * JONCTION pn À L'ÉQUILIBRE THERMODYNAMIQUE
4.1 Jonction pn abrupte
4.2 Jonction pn graduelle
4.3 Jonction pn à profil variable
CHAPITRE 5 * JONCTION pn HORS ÉQUILIBRE
5.1 Jonction pn abrupte polarisée
5.2 Jonction pn - Courants de génération/recombinaison
5.3 Jonction pn - Injection des porteurs
5.4 Jonction pn en régime alternatif
CHAPITRE 6 * MULTIJONCTIONS À L'ÉQUILIBRE THERMODYNAMIQUE
6.1 Jonction pin - Capacité
6.2 Structure CCD - Distribution des champs et potentiel électriques
CHAPITRE 7 * TRANSISTORS BIPOLAIRES
7.1 Transistor à base homogène
7.2 Transistor à base exponentielle
7.3 Effet Early
PARTIE 3 / COMPOSANTS UNIPOLAIRES
CHAPITRE 8 * DIODES SCHOTTKY
8.1 Diode Schottky à l'équilibre
8.2 Diode Schottky polarisée
8.3 Diode Schottky : C(V)
CHAPITRE 9 * STRUCTURE MÉTAL ISOLANT SEMICONDUCTEUR
9.1 Capacité MIS en régime stationnaire
9.2 Capacité MOS en régime transitoire
CHAPITRE 10 * TRANSISTORS UNIPOLAIRES
10.1 Transistor JFET en régime linéaire
10.2 Transistor JFET en régime de saturation
10.3 Transistor MOSFET
PARTIE 4 / COMPOSANTS OPTOÉLECTRONIQUES
CHAPITRE 11 * INTERACTION RAYONNEMENT-SEMICONDUCTEUR
11.1 Photogénération de porteurs
11.2 Distribution des photoporteurs en régime stationnaire
11.3 Champ électrique interne
11.4 Éclairement stationnaire localisé
11.5 Éclairement variable localisé
CHAPITRE 12 * PHOTODÉTECTEURS
12.1 Cellule photoconductrice
12.2 Cellule photovoltaïque
12.3 Photopile
CHAPITRE 13 * PHOTOÉMETTEURS
13.1 Diode électroluminescente - LED
13.2 Diode laser - LD
PARTIE 5 / EFFETS QUANTIQUES
CHAPITRE 14 * HÉTÉROSTRUCTURES À EFFETS QUANTIQUES
14.1 Puits quantique GaAs/GaAIAs
14.2 Hétérostructures complexes : méthode des matrices de transfert
INDEXExemplaires (3)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité Fs/1708 Fs/1708-1710 Livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/1709 Fs/1708-1710 Livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/1710 Fs/1708-1710 Livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponiblePhysique statistique / Christian Ngô
Titre : Physique statistique : introduction ; cours et exercices corrigés Type de document : texte imprimé Auteurs : Christian Ngô (1948-....), Auteur ; Hélène Ngô (1947-....), Auteur Mention d'édition : 2e éd. Editeur : Paris : Dunod Année de publication : 2000 Collection : Sciences sup Importance : 354 p. Présentation : ill., couv. ill. en coul. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-10-005442-8 Note générale : La couv. porte en plus : "2e cycle, écoles d'ingénieurs"
Bibliogr. p. 349-350. IndexLangues : Français (fre) Catégories : Physique Mots-clés : Physique statistique Index. décimale : 530.1 Physique mathématique Résumé :
La physique statistique permet de comprendre les propriétés macroscopiques des systèmes constitués d'un grand nombre de particules à partir de leurs éléments microscopiques. Elle établit un lien entre le monde microscopique, où chaque particule doit être prise en considération, et le monde macroscopique dans lequel un système est décrit avec un nombre restreint de paramètres accessibles à la mesure. L'ouvrage traite les systèmes à l'équilibre, les transitions de phase et certains aspects des phénomènes hors d'équilibre. Après avoir brièvement rappelé les bases de la thermodynamique, les auteurs introduisent les définitions fondamentales de la physique statistique et ses postulats. Ceci permet de comprendre les notions d'équilibre thermodynamique, de travail et de chaleur. La physique statistique est basée sur la notion d'ensembles qui sont des répliques à l'échelle macroscopique du système étudié. La nature des paramètres macroscopiques imposés conduit à définir plusieurs ensembles : microcanonique, canonique et grand canonique. Certaines applications de ces ensembles sont particulièrement développées : le gaz parfait classique et les gaz quantiques de Fermi et de Bose. Les transitions de phase qui sont d'importants phénomènes non linéaires sont aussi abordées. Enfin, quelques notions sur les phénomènes hors d'équilibre sont introduites : l'équation de Boltzmann et certaines approches des phénomènes de transport. Le cours est complété d'une centaine d'exercices corrigés. Cet ouvrage s'adresse aux étudiants de physique ou de chimie de l'Université et aux élèves ingénieurs. Il intéressera également les chercheurs et les ingénieurs souhaitant disposer de quelques rappels de physique statistique.Note de contenu :
Sommaire
Rappels de thermodynamique.
Le monde microscopique.
Postulats de la physique statistique.
Equilibre thermodynamique.
L'ensemble microcanonique.
L'ensemble canonique.
Le gaz parfait classique.
L'ensemble grand canonique.
Gaz de Fermi et gaz de Bose.
Transitions de phase (I).
Transitions de phase (II).
L'équation de Boltzmann.
Phénomènes de transport.Physique statistique : introduction ; cours et exercices corrigés [texte imprimé] / Christian Ngô (1948-....), Auteur ; Hélène Ngô (1947-....), Auteur . - 2e éd. . - Paris : Dunod, 2000 . - 354 p. : ill., couv. ill. en coul. ; 24 cm. - (Sciences sup) .
ISBN : 978-2-10-005442-8
La couv. porte en plus : "2e cycle, écoles d'ingénieurs"
Bibliogr. p. 349-350. Index
Langues : Français (fre)
Catégories : Physique Mots-clés : Physique statistique Index. décimale : 530.1 Physique mathématique Résumé :
La physique statistique permet de comprendre les propriétés macroscopiques des systèmes constitués d'un grand nombre de particules à partir de leurs éléments microscopiques. Elle établit un lien entre le monde microscopique, où chaque particule doit être prise en considération, et le monde macroscopique dans lequel un système est décrit avec un nombre restreint de paramètres accessibles à la mesure. L'ouvrage traite les systèmes à l'équilibre, les transitions de phase et certains aspects des phénomènes hors d'équilibre. Après avoir brièvement rappelé les bases de la thermodynamique, les auteurs introduisent les définitions fondamentales de la physique statistique et ses postulats. Ceci permet de comprendre les notions d'équilibre thermodynamique, de travail et de chaleur. La physique statistique est basée sur la notion d'ensembles qui sont des répliques à l'échelle macroscopique du système étudié. La nature des paramètres macroscopiques imposés conduit à définir plusieurs ensembles : microcanonique, canonique et grand canonique. Certaines applications de ces ensembles sont particulièrement développées : le gaz parfait classique et les gaz quantiques de Fermi et de Bose. Les transitions de phase qui sont d'importants phénomènes non linéaires sont aussi abordées. Enfin, quelques notions sur les phénomènes hors d'équilibre sont introduites : l'équation de Boltzmann et certaines approches des phénomènes de transport. Le cours est complété d'une centaine d'exercices corrigés. Cet ouvrage s'adresse aux étudiants de physique ou de chimie de l'Université et aux élèves ingénieurs. Il intéressera également les chercheurs et les ingénieurs souhaitant disposer de quelques rappels de physique statistique.Note de contenu :
Sommaire
Rappels de thermodynamique.
Le monde microscopique.
Postulats de la physique statistique.
Equilibre thermodynamique.
L'ensemble microcanonique.
L'ensemble canonique.
Le gaz parfait classique.
L'ensemble grand canonique.
Gaz de Fermi et gaz de Bose.
Transitions de phase (I).
Transitions de phase (II).
L'équation de Boltzmann.
Phénomènes de transport.Exemplaires (2)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité Fs/0589 Fs/0588-0589 Livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/0588 Fs/0588-Fs/0589 livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponiblePhysique statistique et thermodynamique / Claude Coulon
PermalinkPhysique des transitions de phases / Papon, Pierre
PermalinkPrécis de physique nucléaire / Daniel Blanc
PermalinkPrécis de recherche opérationnelle / Robert Faure
PermalinkPrincipes de conversions / Jean-Paul Troadec
PermalinkPrincipes d'électronique / Albert Paul Malvino
PermalinkProbabilités pour les sciences de l'ingénieur / Manuel Samuelides
PermalinkProbabilités et statistique pour les sciences physiques / Jean-Louis Feménias
PermalinkProbabilités et statistique :Résumés de cours 157 exercices et problèmes corrigés: licence 1re et 2e année,PCEM,pharmacie / Françoise Couty
PermalinkProbabilités et statistique de A à Z / François Dress
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