University Sétif 1 FERHAT ABBAS Faculty of Sciences
Résultat de la recherche
1 résultat(s) recherche sur le mot-clé 'Semiconducteurs : Problèmes et exercices Composants électroniques'
Ajouter le résultat dans votre panier Affiner la recherche Générer le flux rss de la recherche
Partager le résultat de cette recherche
Physique des semiconducteurs et des composants électroniques / Henry Mathieu
Titre : Physique des semiconducteurs et des composants électroniques : problèmes résolus Type de document : texte imprimé Auteurs : Henry Mathieu (1940-....), Auteur ; Thierry Bretagnon (1960-....), Auteur ; Pierre Lefebvre (1963-....), Auteur Editeur : Paris : Dunod Année de publication : 2001 Collection : Sciences sup Importance : 1 vol (188 p.) Présentation : ill., couv. ill. en coul. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-10-004662-1 Note générale : La couv. porte en plus : "2e et 3e cycles, écoles d'ingénieurs"
IndexLangues : Français (fre) Catégories : Physique Mots-clés : Semiconducteurs : Problèmes et exercices
Composants électroniquesIndex. décimale : 537.5 Physique de l'électronique Résumé :
Ce recueil de 42 problèmes résolus complète le cours Physique des semi-conducteurs et des composants électroniques de Henry Mathieu.
Les problèmes sont répartis en cinq parties
• la première aborde les différents phénomènes et effets physiques qui régissent les caractéristiques des électrons dans les semi-conducteurs ;
• la deuxième est consacrée aux composants bipolaires et aux propriétés de la jonction pn qui constitue la structure de base de ces composants;
• la troisième partie traite des composants unipolaires avec les hétérostructures (contact métal/semi-conducteur ; métal/isolant/ semi-conducteur) ainsi que des composants actifs, tels que les différents types de transistors à effet de champ ;
• dans la quatrième partie, le domaine important des composants optoélectroniques est abordé en traitant les phénomènes d'interaction du rayonnement avec le semi-conducteur et avec les cellules photoconductrices, photodiodes, cellules solaires, diodes électroluminescentes et diodes lasers ;
• la dernière traite des effets quantiques rencontrés dans les hétérostructures semi-conductrices.
Certains problèmes, dont la résolution est numérique, permettent de comparer les solutions exactes des équations aux solutions approchées. Les programmes utilisent le logiciel Maple V.Note de contenu :
SOMMAIRE
PARTIE 1 / PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS
CHAPITRE 1 * SEMI-CONDUCTEURS HOMOGÈNES
1.1 Semiconducteur compensé
1.2 Semiconducteur non-dégénéré
1.3 Semiconducteur dégénéré
1.4 Effet de la température
CHAPITRE 2 * SEMICONDUCTEURS À PROFIL DE DOPAGE QUELCONQUE
2.1 Profil de dopage - Distribution des porteurs
2.2 Profil de dopage - Charge d'espace
2.3 Profil de dopage - Résistivité
CHAPITRE 3 * SEMICONDUCTEUR HORS ÉQUILIBRE
3.1 Effet Hall
3.2 Émission thermoélectronique
3.3 Effet Gunn
PARTIE 2 / COMPOSANTS BIPOLAIRES
CHAPITRE 4 * JONCTION pn À L'ÉQUILIBRE THERMODYNAMIQUE
4.1 Jonction pn abrupte
4.2 Jonction pn graduelle
4.3 Jonction pn à profil variable
CHAPITRE 5 * JONCTION pn HORS ÉQUILIBRE
5.1 Jonction pn abrupte polarisée
5.2 Jonction pn - Courants de génération/recombinaison
5.3 Jonction pn - Injection des porteurs
5.4 Jonction pn en régime alternatif
CHAPITRE 6 * MULTIJONCTIONS À L'ÉQUILIBRE THERMODYNAMIQUE
6.1 Jonction pin - Capacité
6.2 Structure CCD - Distribution des champs et potentiel électriques
CHAPITRE 7 * TRANSISTORS BIPOLAIRES
7.1 Transistor à base homogène
7.2 Transistor à base exponentielle
7.3 Effet Early
PARTIE 3 / COMPOSANTS UNIPOLAIRES
CHAPITRE 8 * DIODES SCHOTTKY
8.1 Diode Schottky à l'équilibre
8.2 Diode Schottky polarisée
8.3 Diode Schottky : C(V)
CHAPITRE 9 * STRUCTURE MÉTAL ISOLANT SEMICONDUCTEUR
9.1 Capacité MIS en régime stationnaire
9.2 Capacité MOS en régime transitoire
CHAPITRE 10 * TRANSISTORS UNIPOLAIRES
10.1 Transistor JFET en régime linéaire
10.2 Transistor JFET en régime de saturation
10.3 Transistor MOSFET
PARTIE 4 / COMPOSANTS OPTOÉLECTRONIQUES
CHAPITRE 11 * INTERACTION RAYONNEMENT-SEMICONDUCTEUR
11.1 Photogénération de porteurs
11.2 Distribution des photoporteurs en régime stationnaire
11.3 Champ électrique interne
11.4 Éclairement stationnaire localisé
11.5 Éclairement variable localisé
CHAPITRE 12 * PHOTODÉTECTEURS
12.1 Cellule photoconductrice
12.2 Cellule photovoltaïque
12.3 Photopile
CHAPITRE 13 * PHOTOÉMETTEURS
13.1 Diode électroluminescente - LED
13.2 Diode laser - LD
PARTIE 5 / EFFETS QUANTIQUES
CHAPITRE 14 * HÉTÉROSTRUCTURES À EFFETS QUANTIQUES
14.1 Puits quantique GaAs/GaAIAs
14.2 Hétérostructures complexes : méthode des matrices de transfert
INDEXPhysique des semiconducteurs et des composants électroniques : problèmes résolus [texte imprimé] / Henry Mathieu (1940-....), Auteur ; Thierry Bretagnon (1960-....), Auteur ; Pierre Lefebvre (1963-....), Auteur . - Paris : Dunod, 2001 . - 1 vol (188 p.) : ill., couv. ill. en coul. ; 24 cm. - (Sciences sup) .
ISBN : 978-2-10-004662-1
La couv. porte en plus : "2e et 3e cycles, écoles d'ingénieurs"
Index
Langues : Français (fre)
Catégories : Physique Mots-clés : Semiconducteurs : Problèmes et exercices
Composants électroniquesIndex. décimale : 537.5 Physique de l'électronique Résumé :
Ce recueil de 42 problèmes résolus complète le cours Physique des semi-conducteurs et des composants électroniques de Henry Mathieu.
Les problèmes sont répartis en cinq parties
• la première aborde les différents phénomènes et effets physiques qui régissent les caractéristiques des électrons dans les semi-conducteurs ;
• la deuxième est consacrée aux composants bipolaires et aux propriétés de la jonction pn qui constitue la structure de base de ces composants;
• la troisième partie traite des composants unipolaires avec les hétérostructures (contact métal/semi-conducteur ; métal/isolant/ semi-conducteur) ainsi que des composants actifs, tels que les différents types de transistors à effet de champ ;
• dans la quatrième partie, le domaine important des composants optoélectroniques est abordé en traitant les phénomènes d'interaction du rayonnement avec le semi-conducteur et avec les cellules photoconductrices, photodiodes, cellules solaires, diodes électroluminescentes et diodes lasers ;
• la dernière traite des effets quantiques rencontrés dans les hétérostructures semi-conductrices.
Certains problèmes, dont la résolution est numérique, permettent de comparer les solutions exactes des équations aux solutions approchées. Les programmes utilisent le logiciel Maple V.Note de contenu :
SOMMAIRE
PARTIE 1 / PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS
CHAPITRE 1 * SEMI-CONDUCTEURS HOMOGÈNES
1.1 Semiconducteur compensé
1.2 Semiconducteur non-dégénéré
1.3 Semiconducteur dégénéré
1.4 Effet de la température
CHAPITRE 2 * SEMICONDUCTEURS À PROFIL DE DOPAGE QUELCONQUE
2.1 Profil de dopage - Distribution des porteurs
2.2 Profil de dopage - Charge d'espace
2.3 Profil de dopage - Résistivité
CHAPITRE 3 * SEMICONDUCTEUR HORS ÉQUILIBRE
3.1 Effet Hall
3.2 Émission thermoélectronique
3.3 Effet Gunn
PARTIE 2 / COMPOSANTS BIPOLAIRES
CHAPITRE 4 * JONCTION pn À L'ÉQUILIBRE THERMODYNAMIQUE
4.1 Jonction pn abrupte
4.2 Jonction pn graduelle
4.3 Jonction pn à profil variable
CHAPITRE 5 * JONCTION pn HORS ÉQUILIBRE
5.1 Jonction pn abrupte polarisée
5.2 Jonction pn - Courants de génération/recombinaison
5.3 Jonction pn - Injection des porteurs
5.4 Jonction pn en régime alternatif
CHAPITRE 6 * MULTIJONCTIONS À L'ÉQUILIBRE THERMODYNAMIQUE
6.1 Jonction pin - Capacité
6.2 Structure CCD - Distribution des champs et potentiel électriques
CHAPITRE 7 * TRANSISTORS BIPOLAIRES
7.1 Transistor à base homogène
7.2 Transistor à base exponentielle
7.3 Effet Early
PARTIE 3 / COMPOSANTS UNIPOLAIRES
CHAPITRE 8 * DIODES SCHOTTKY
8.1 Diode Schottky à l'équilibre
8.2 Diode Schottky polarisée
8.3 Diode Schottky : C(V)
CHAPITRE 9 * STRUCTURE MÉTAL ISOLANT SEMICONDUCTEUR
9.1 Capacité MIS en régime stationnaire
9.2 Capacité MOS en régime transitoire
CHAPITRE 10 * TRANSISTORS UNIPOLAIRES
10.1 Transistor JFET en régime linéaire
10.2 Transistor JFET en régime de saturation
10.3 Transistor MOSFET
PARTIE 4 / COMPOSANTS OPTOÉLECTRONIQUES
CHAPITRE 11 * INTERACTION RAYONNEMENT-SEMICONDUCTEUR
11.1 Photogénération de porteurs
11.2 Distribution des photoporteurs en régime stationnaire
11.3 Champ électrique interne
11.4 Éclairement stationnaire localisé
11.5 Éclairement variable localisé
CHAPITRE 12 * PHOTODÉTECTEURS
12.1 Cellule photoconductrice
12.2 Cellule photovoltaïque
12.3 Photopile
CHAPITRE 13 * PHOTOÉMETTEURS
13.1 Diode électroluminescente - LED
13.2 Diode laser - LD
PARTIE 5 / EFFETS QUANTIQUES
CHAPITRE 14 * HÉTÉROSTRUCTURES À EFFETS QUANTIQUES
14.1 Puits quantique GaAs/GaAIAs
14.2 Hétérostructures complexes : méthode des matrices de transfert
INDEXExemplaires (3)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité Fs/1708 Fs/1708-1710 Livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/1709 Fs/1708-1710 Livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/1710 Fs/1708-1710 Livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
Disponible