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Formalisme de lagrange et oscillations lineaires / Ali Kamel Zine
Titre : Formalisme de lagrange et oscillations lineaires Type de document : texte imprimé Auteurs : Ali Kamel Zine, Auteur Mention d'édition : 3e éd. Editeur : Alger : OPU Année de publication : 2011 Importance : 1 vol (327 p.) Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-9961-0-0660-3 Langues : Français (fre) Catégories : Physique Mots-clés : Physique Index. décimale : 530 Physique Côte titre : Fs/25194-25195 Formalisme de lagrange et oscillations lineaires [texte imprimé] / Ali Kamel Zine, Auteur . - 3e éd. . - Alger : OPU, 2011 . - 1 vol (327 p.) ; 24 cm.
ISBN : 978-9961-0-0660-3
Langues : Français (fre)
Catégories : Physique Mots-clés : Physique Index. décimale : 530 Physique Côte titre : Fs/25194-25195 Exemplaires (2)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité Fs/25194 Fs/25194-25195 livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/25195 Fs/25194-25195 livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleLa Formation des idées en physique / Jean Perdijon
Titre : La Formation des idées en physique : Du phénomène à la théorie Type de document : texte imprimé Auteurs : Jean Perdijon (1937-....), Auteur Editeur : Paris : Dunod Année de publication : 2007 Collection : UniverSciences (Paris), ISSN 1635-625X Importance : 1 vol. (166 p.) Présentation : ill., couv. ill. en coul. Format : 22 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-10-050163-2 Note générale : Bibliogr. p. 155-159. Glossaire. Index Langues : Français (fre) Catégories : Physique Mots-clés : Physique : Fondements
Physique : Histoire
Physique : PhilosophieIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Quelles sont les sources légitimes de la connaissance en physique ?
Par une approche historique, scientifique et philosophique, Jean Perdijon souligné l'idée selon laquelle le matériel de la physique est à la fois empirique et théorique. Ainsi, le fait, la mesure, la loi et le principe, l'objet, la grandeur et la valeur sont les notions interdépendantes constituant des étapes reliant l'observation du phénomène à son explication théorique.
Au cours de leur histoire, les physiciens ont conceptuellement représenté leurs observations de la nature par des "billes", puis des "champs", des "systèmes" ou encore des "populations". Dans l'ouvrage est détaillé pourquoi, à un moment donné, tel type de représentation a été choisie et quelles ont été les grandeurs et les théories physiques qui sont nées de ces modes de représentation.
Complété par une chronologie et un glossaire, ce livre est une source d'enrichissement des connaissances en histoire de la physique et en philosophie des sciences pour les étudiants en Licence ou Master et les enseignants. Il s'adresse également à tous ceux, étudiants ou curieux, qui souhaitent avoir une vue d'ensemble de la physique.Note de contenu :
Sommaire
Le fait
La mesure
La loi et le principe
L'objet
La grandeur
La valeur
La théorieCôte titre : Fs/5471-5474 La Formation des idées en physique : Du phénomène à la théorie [texte imprimé] / Jean Perdijon (1937-....), Auteur . - Paris : Dunod, 2007 . - 1 vol. (166 p.) : ill., couv. ill. en coul. ; 22 cm. - (UniverSciences (Paris), ISSN 1635-625X) .
ISBN : 978-2-10-050163-2
Bibliogr. p. 155-159. Glossaire. Index
Langues : Français (fre)
Catégories : Physique Mots-clés : Physique : Fondements
Physique : Histoire
Physique : PhilosophieIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
Quelles sont les sources légitimes de la connaissance en physique ?
Par une approche historique, scientifique et philosophique, Jean Perdijon souligné l'idée selon laquelle le matériel de la physique est à la fois empirique et théorique. Ainsi, le fait, la mesure, la loi et le principe, l'objet, la grandeur et la valeur sont les notions interdépendantes constituant des étapes reliant l'observation du phénomène à son explication théorique.
Au cours de leur histoire, les physiciens ont conceptuellement représenté leurs observations de la nature par des "billes", puis des "champs", des "systèmes" ou encore des "populations". Dans l'ouvrage est détaillé pourquoi, à un moment donné, tel type de représentation a été choisie et quelles ont été les grandeurs et les théories physiques qui sont nées de ces modes de représentation.
Complété par une chronologie et un glossaire, ce livre est une source d'enrichissement des connaissances en histoire de la physique et en philosophie des sciences pour les étudiants en Licence ou Master et les enseignants. Il s'adresse également à tous ceux, étudiants ou curieux, qui souhaitent avoir une vue d'ensemble de la physique.Note de contenu :
Sommaire
Le fait
La mesure
La loi et le principe
L'objet
La grandeur
La valeur
La théorieCôte titre : Fs/5471-5474 Exemplaires (4)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité Fs/5472 Fs/5471-5474 livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/5473 Fs/5471-5474 livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/5471 Fs/5471-5474 livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/5474 Fs/5471-5474 livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFowler-Nordheim Current and Surface Potential in MOS Structures Classical and Quantum Approximations / Benimeur,Houda
Titre : Fowler-Nordheim Current and Surface Potential in MOS Structures Classical and Quantum Approximations Type de document : texte imprimé Auteurs : Benimeur,Houda, Auteur ; Z Ouennoughi, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2019 Importance : 1 vol (38 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Theoretical physics Index. décimale : 530 Physique Résumé :
L’étude des dispositifs à semi-conducteurs repose sur deux méthodes principales: la simulation numérique et l’étude théorique.
Dans ce travail, nous développerons une tension de capacité C-V et une tension de courant I-V classique ainsi qu'un modèle quantique quasi statique d'une structure ultra-fine métal-oxyde-semi-conducteur (MOS) ultra-mince basée sur la solution autocohérente de l'équation de Schroïdinger et de Piosson.
Il est judicieux d’étudier d’abord les structures et les caractéristiques des dispositifs MOS et MOSFET concernés par cette analyse et d’établir un modèle théorique d’approximation analytique du potentiel de surface tenant compte des effets quantiques et mécaniques.
Ensuite, une formule générale pour une capacité de condensateur MOS est démontrée à la fois pour les cas de basses et hautes fréquences.
Dans le dernier chapitre, nous étudierons l’effet tunnel du MOS en déduisant l’expression de la densité de courant F-N avec la formule générale de la densité de courant utilisant le coefficient de transmission déduit de la méthode de WKB dans un potentiel triangulaire.
Ensuite, une nouvelle formule analytique pour la dépendance de la température actuelle F-N est dérivée de l'expression exacte utilisant l'expansion de Sommerfeld.
Les thèmes clés sont les concepts de MOS, tension de grille, potentiel de surface, tension de capacité, tension de courant, courant de Fowler Nordheim et autres caractéristiquesNote de contenu :
Sommaire
Table of Contents
 Acknowledgements…………………………………………...……………………………………………….
 Dedication…………………………………………………………………………………………………………
 Abstract…………………………………………………………………………………………………………….
 ملخص ……………………………….………………………………………………………………………………..
 List of Abbreviations………………………………………………………………………………………….
ï‚· Chapter One: General Introduction and Fundamental Concepts
 I.General Introduction…………………………………………………………………………..……..…. 1
 II.Fundamental Concepts………………………………………………………………….…….…..…….1
 1.Metal…………………………………………………………………………………………………………….1
 2.Oxide……………………………………………………………………………………………………………1
 3.A semiconductor ……………………………………………………………………………..…….……..2
 3.1.Intrinsic (pure) Semiconductors………………………………………………………..…..……2
 3.2.Extrinsic (impure) Semiconductors…………………………………………………………..…2
 4.Sorts of semiconductor according to addition of impurities………………………..…..2
 4.1.n-type semiconductor……………………………………………………………………………..….2
 4.2.p-type semiconductor………………………………………………………………………..….……3
 5.The MOS structure……………………………………………………………………………………...…3  6.The idea MOS……………………………………………………………………………………..……..…..4
 7.The Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor……..……………..…..……..…4
 8.Definition of Potentials ………………………………..…………………….…..…5
 9.The energy band diagrams of an MOScapacitor……………….…………….……6
 10.Region of operations………………………..………………………..………...….8
 10.1.Accumulation……………………………………………………..……..………8
 10.2.Depletion……………………………………………………………….….….…8
 10.3.Inversion……………………………………………………………………...…9
 11.Current in the MOS………………………………………………………………………………….…..9
ï‚· Chapter Two: Surface Potential and Metal Oxide Semiconductor Capacitor at Low and at High Frequencies
 1.INTRODUCTION …………………………………………………………………11
 2.SOME NOTIONS…………………………………………………………………..11
 2.1.Surface Potential ………………………………………………………….……..11
 2.2.The n-channel MOSFET…………………………………………………….……11
 2.3.The short-channel effects…………………………………………………….…...12
 3.THE MODELING DESCRIPTION…………………………………………….…..12
 3.1.Condition of quantization ……………………………………………………..….15
 3.2.Development of Analytical Approximation for the Surface Potential …………..16
 4.Calculation of low frequency Capacitance of a MOS Structure…………….……...19
 4.1.The oxide capacitance…………………………………………………………….20
 4.2.Low Frequency capacitance………………………………………………………20
 5. Calculation of High frequency Capacitance of a MOS Structure………….………23
ï‚· ChapterThree: Fowler-Nordheim Tunneling Current in the MOS structure
 1.Introduction…………………………………………………………………..……..27
 2.Schroïdinger Equation……………………………………………………….……...27
 3.WKB Approximation………………..……………………………………….……..27
 4.Coefficient of Transmission…………………………………………………..…….27
 5.Triangle Barrier………………………………………………………………..……28
 6.Fowler-Nordheim Current Density…………………………………………………28
 6.1.Equation F-N Current Density with Exponential and Pre-exponential Coefficients…………………………………………………………………………...28
 6.2.Equation F-N Current Density depent en temperature……………………………34
 APPENDIX I….. ……………………………………………………………………..36
 APPENDIX II………………….……………………………………………………..37
 Conclusion……………………………………………………………………………38
ï‚· Lisr of references……………………………………..………………………………39Côte titre : MAPH/0329 Fowler-Nordheim Current and Surface Potential in MOS Structures Classical and Quantum Approximations [texte imprimé] / Benimeur,Houda, Auteur ; Z Ouennoughi, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2019 . - 1 vol (38 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Theoretical physics Index. décimale : 530 Physique Résumé :
L’étude des dispositifs à semi-conducteurs repose sur deux méthodes principales: la simulation numérique et l’étude théorique.
Dans ce travail, nous développerons une tension de capacité C-V et une tension de courant I-V classique ainsi qu'un modèle quantique quasi statique d'une structure ultra-fine métal-oxyde-semi-conducteur (MOS) ultra-mince basée sur la solution autocohérente de l'équation de Schroïdinger et de Piosson.
Il est judicieux d’étudier d’abord les structures et les caractéristiques des dispositifs MOS et MOSFET concernés par cette analyse et d’établir un modèle théorique d’approximation analytique du potentiel de surface tenant compte des effets quantiques et mécaniques.
Ensuite, une formule générale pour une capacité de condensateur MOS est démontrée à la fois pour les cas de basses et hautes fréquences.
Dans le dernier chapitre, nous étudierons l’effet tunnel du MOS en déduisant l’expression de la densité de courant F-N avec la formule générale de la densité de courant utilisant le coefficient de transmission déduit de la méthode de WKB dans un potentiel triangulaire.
Ensuite, une nouvelle formule analytique pour la dépendance de la température actuelle F-N est dérivée de l'expression exacte utilisant l'expansion de Sommerfeld.
Les thèmes clés sont les concepts de MOS, tension de grille, potentiel de surface, tension de capacité, tension de courant, courant de Fowler Nordheim et autres caractéristiquesNote de contenu :
Sommaire
Table of Contents
 Acknowledgements…………………………………………...……………………………………………….
 Dedication…………………………………………………………………………………………………………
 Abstract…………………………………………………………………………………………………………….
 ملخص ……………………………….………………………………………………………………………………..
 List of Abbreviations………………………………………………………………………………………….
ï‚· Chapter One: General Introduction and Fundamental Concepts
 I.General Introduction…………………………………………………………………………..……..…. 1
 II.Fundamental Concepts………………………………………………………………….…….…..…….1
 1.Metal…………………………………………………………………………………………………………….1
 2.Oxide……………………………………………………………………………………………………………1
 3.A semiconductor ……………………………………………………………………………..…….……..2
 3.1.Intrinsic (pure) Semiconductors………………………………………………………..…..……2
 3.2.Extrinsic (impure) Semiconductors…………………………………………………………..…2
 4.Sorts of semiconductor according to addition of impurities………………………..…..2
 4.1.n-type semiconductor……………………………………………………………………………..….2
 4.2.p-type semiconductor………………………………………………………………………..….……3
 5.The MOS structure……………………………………………………………………………………...…3  6.The idea MOS……………………………………………………………………………………..……..…..4
 7.The Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor……..……………..…..……..…4
 8.Definition of Potentials ………………………………..…………………….…..…5
 9.The energy band diagrams of an MOScapacitor……………….…………….……6
 10.Region of operations………………………..………………………..………...….8
 10.1.Accumulation……………………………………………………..……..………8
 10.2.Depletion……………………………………………………………….….….…8
 10.3.Inversion……………………………………………………………………...…9
 11.Current in the MOS………………………………………………………………………………….…..9
ï‚· Chapter Two: Surface Potential and Metal Oxide Semiconductor Capacitor at Low and at High Frequencies
 1.INTRODUCTION …………………………………………………………………11
 2.SOME NOTIONS…………………………………………………………………..11
 2.1.Surface Potential ………………………………………………………….……..11
 2.2.The n-channel MOSFET…………………………………………………….……11
 2.3.The short-channel effects…………………………………………………….…...12
 3.THE MODELING DESCRIPTION…………………………………………….…..12
 3.1.Condition of quantization ……………………………………………………..….15
 3.2.Development of Analytical Approximation for the Surface Potential …………..16
 4.Calculation of low frequency Capacitance of a MOS Structure…………….……...19
 4.1.The oxide capacitance…………………………………………………………….20
 4.2.Low Frequency capacitance………………………………………………………20
 5. Calculation of High frequency Capacitance of a MOS Structure………….………23
ï‚· ChapterThree: Fowler-Nordheim Tunneling Current in the MOS structure
 1.Introduction…………………………………………………………………..……..27
 2.Schroïdinger Equation……………………………………………………….……...27
 3.WKB Approximation………………..……………………………………….……..27
 4.Coefficient of Transmission…………………………………………………..…….27
 5.Triangle Barrier………………………………………………………………..……28
 6.Fowler-Nordheim Current Density…………………………………………………28
 6.1.Equation F-N Current Density with Exponential and Pre-exponential Coefficients…………………………………………………………………………...28
 6.2.Equation F-N Current Density depent en temperature……………………………34
 APPENDIX I….. ……………………………………………………………………..36
 APPENDIX II………………….……………………………………………………..37
 Conclusion……………………………………………………………………………38
ï‚· Lisr of references……………………………………..………………………………39Côte titre : MAPH/0329 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0329 MAPH/0329 Mémoire Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleGauge theories of the strong, weak, and electromagnetic interactions / Quigg, Chris
Titre : Gauge theories of the strong, weak, and electromagnetic interactions Type de document : texte imprimé Auteurs : Quigg, Chris Mention d'édition : 2e éd Editeur : Princeton University Press, Année de publication : 2013 Importance : 1 vol (482 p.) Format : 29 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-0-691-13548-9 Note générale : 978-0-691-13548-9 Langues : Anglais (eng) Catégories : Physique Mots-clés : Champs de jauge (physique) :Actes de congrès Index. décimale : 530 Physique Résumé :
Ce manuel de deuxième cycle entièrement révisé et mis à jour est une introduction idéale pour jauger les théories et leurs applications à la physique des particules de haute énergie. Il analyse en profondeur deux nouvelles lois de la nature - la chromodynamique quantique et la théorie électrofaible. De l’électrodynamique quantique aux théories unifiées des interactions entre leptons et les quarks, Chris Quigg examine la logique et la structure des théories de jauge et les fondements expérimentaux des théories actuelles. Quigg souligne comment nous savons ce que nous savons et, à l’époque du Grand collisionneur de hadrons, son étude perspicace du modèle standard et des prochaines grandes questions de la physique des particules rendent la lecture captivante.
La toute nouvelle édition montre comment la théorie électrofaible s'est développée dans une conversation avec une expérience. Présentant un traitement étendu des ruptures de symétrie électrofaible, de la physique du boson de Higgs et de l'importance de l'échelle 1-TeV, le livre dépasse les connaissances établies et explore la voie vers des théories unifiées d'interactions fortes, faibles et électromagnétiques. Des calculs explicites et divers exercices permettent aux lecteurs de déduire les conséquences de ces théories. De nombreuses bibliographies annotées accompagnent chaque chapitre, amplifient les points d’intérêt conceptuel ou technique, introduisent de nouvelles applications et conduisent les lecteurs vers la littérature de recherche. Les étudiants et les praticiens chevronnés profiteront des connaissances actuelles du texte et les spécialistes désireux de comprendre les théories de jauge trouveront dans le livre une référence idéale pour l’auto-apprentissage.
Note de contenu :
Sommaire
Introduction
Lagrangian formalism and conservation laws
The idea of gauge lnvariance
Non-Abelian gauge theories
Hidden symmetries
Electrweak interaction of leptons
Electroweak interactions of quarks
Strong interactions among quarks
Unified theories
Côte titre : Fs/13904-13905 Gauge theories of the strong, weak, and electromagnetic interactions [texte imprimé] / Quigg, Chris . - 2e éd . - [S.l.] : Princeton University Press,, 2013 . - 1 vol (482 p.) ; 29 cm.
ISBN : 978-0-691-13548-9
978-0-691-13548-9
Langues : Anglais (eng)
Catégories : Physique Mots-clés : Champs de jauge (physique) :Actes de congrès Index. décimale : 530 Physique Résumé :
Ce manuel de deuxième cycle entièrement révisé et mis à jour est une introduction idéale pour jauger les théories et leurs applications à la physique des particules de haute énergie. Il analyse en profondeur deux nouvelles lois de la nature - la chromodynamique quantique et la théorie électrofaible. De l’électrodynamique quantique aux théories unifiées des interactions entre leptons et les quarks, Chris Quigg examine la logique et la structure des théories de jauge et les fondements expérimentaux des théories actuelles. Quigg souligne comment nous savons ce que nous savons et, à l’époque du Grand collisionneur de hadrons, son étude perspicace du modèle standard et des prochaines grandes questions de la physique des particules rendent la lecture captivante.
La toute nouvelle édition montre comment la théorie électrofaible s'est développée dans une conversation avec une expérience. Présentant un traitement étendu des ruptures de symétrie électrofaible, de la physique du boson de Higgs et de l'importance de l'échelle 1-TeV, le livre dépasse les connaissances établies et explore la voie vers des théories unifiées d'interactions fortes, faibles et électromagnétiques. Des calculs explicites et divers exercices permettent aux lecteurs de déduire les conséquences de ces théories. De nombreuses bibliographies annotées accompagnent chaque chapitre, amplifient les points d’intérêt conceptuel ou technique, introduisent de nouvelles applications et conduisent les lecteurs vers la littérature de recherche. Les étudiants et les praticiens chevronnés profiteront des connaissances actuelles du texte et les spécialistes désireux de comprendre les théories de jauge trouveront dans le livre une référence idéale pour l’auto-apprentissage.
Note de contenu :
Sommaire
Introduction
Lagrangian formalism and conservation laws
The idea of gauge lnvariance
Non-Abelian gauge theories
Hidden symmetries
Electrweak interaction of leptons
Electroweak interactions of quarks
Strong interactions among quarks
Unified theories
Côte titre : Fs/13904-13905 Exemplaires (2)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité Fs/13904 Fs/13904-13905 livre Bibliothéque des sciences Anglais Disponible
DisponibleFs/13905 Fs/13904-13905 livre Bibliothéque des sciences Anglais Disponible
Disponible
Titre : Geometric phase for the one-dimensional dirac oscillator Type de document : texte imprimé Auteurs : Kadri, khawla ; N. Chaabi, Directeur de thèse Année de publication : 2017 Importance : 1 vol (43 f.) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique Théorique
Le théorème adiabatique,
l'oscillateur Dirac,
la phase géométrique,
phase de Berry.Index. décimale : 530 Physique Résumé : Dans ce travail, nous considérons le théorème
adiabatique pour l’oscillateur de Dirac à une
dimension avec des paramètres dépendants du
temps. Nous déterminons la solution de
l’équation de Schrödinger correspondante dans
le cadre de l’approximation adiabatique, dont
nous calculons la phase géométrique
correspondante ( phase de Berry).Côte titre : MAPH/0181 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1fIj4w939RRM0sV2L7Kf3S1DjBQsWoVUS/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Geometric phase for the one-dimensional dirac oscillator [texte imprimé] / Kadri, khawla ; N. Chaabi, Directeur de thèse . - 2017 . - 1 vol (43 f.).
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique Théorique
Le théorème adiabatique,
l'oscillateur Dirac,
la phase géométrique,
phase de Berry.Index. décimale : 530 Physique Résumé : Dans ce travail, nous considérons le théorème
adiabatique pour l’oscillateur de Dirac à une
dimension avec des paramètres dépendants du
temps. Nous déterminons la solution de
l’équation de Schrödinger correspondante dans
le cadre de l’approximation adiabatique, dont
nous calculons la phase géométrique
correspondante ( phase de Berry).Côte titre : MAPH/0181 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1fIj4w939RRM0sV2L7Kf3S1DjBQsWoVUS/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAPH/0181 MAPH/0181 Mémoire Bibliothéque des sciences Anglais Disponible
DisponibleGéophysique / Dubois, Jacques
PermalinkLes grandes fonctions des réseaux / Lallement, Patrick
PermalinkGroup theory in physics / Wu-Ki Tung
PermalinkHandbook of physics / Walter Benenson
PermalinkL'héritage scientifique de Poincaré / Eric Charpentier
PermalinkHistoire de la mesure des distances cosmiques / Serge,Rochain
PermalinkHistoire des sciences / Abedelkader Khelladi
PermalinkIdentification, caractérisation et interaction des sources sismiques / Oualid boulahia
PermalinkIdentification des défauts dans le silicium introduits par l'irradiation neutronique / IBADIOUNE, Abdellah
PermalinkPermalink