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Composants à semi-conducteurs / Bonnaud,Olivier
Titre : Composants à semi-conducteurs : De la physique du solide aux transistors Type de document : texte imprimé Auteurs : Bonnaud,Olivier Editeur : Paris : Ellipses Année de publication : 2006 Collection : Techno sup. Supélec Importance : 1 vol (241 p.) Présentation : ill. Format : 26 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7298-2804-2 Note générale : 978-2-7298-2804-2 Langues : Français (fre) Catégories : Physique Mots-clés : Physique du solide Index. décimale : 530 Physique Résumé :
Cours de base à Supélec, l'ouvrage enrichira les connaissances de tout étudiant, ingénieur ou enseignant en EEA, en expliquant clairement les principes et le fonctionnement des composants microélectroniques, qui sont les "briques" constituantes des circuits intégrés et des cartes de tous les systèmes électroniques. Dans une première partie orientée "physique du solide" et focalisée sur les matériaux semiconducteurs, il expose les macanismes de base de la conduction. Puis, dans une seconde partie orientés "dispositifs", il décrit et explique le fonctionnement des principaux composants élémentaires de la microélectronique : diodes, transistors bipolaires, transistors MOS et é effet de champ à jonction... L'approche proposée se démarque des ouvrages classiques, en débutant par une sensibilisation aux phénomènes physiques avant d'en établir le formalisme. De nombreux exemples, exercices et problèmes corrigés confortent l'aspect pratique de l'ouvrage." (source : 4ème de couverture)
Note de contenu :
Sommaire
Chapitre I- Eléments de cristallographie
1. Introduction aux réseaux cristallins
2. Réseaux cristallins
3. Réseau récirpoque
4. Zone de Brillouin
5. Diffraction dans un cristal
6. Représentation du cristal de solicium
Chapitre II- Electrons dans un cristal
1. Potentiel d'un électron dans un cristal
2. Modèle de l'électron libre dans un cristal. Modèle de Sommerfeld
3. Modèle de l'électron quasi-libre dans un cristal
4. Conclusion sur les diagrammes d'énergie
Chapitre III- Notions de statistique, systèmes de particules
1. Pression et énergie d'une molécule dans un gaz parfait
2. Distribution d'énergie des molécules dans un gaz parfait
3. Distribution de Maxwell
4. Fonctions de distribution de Fermi-Dirac
Chapitre IV- Introduction à la physique du semiconducteur
1. Bandes d'énergie
2. Porteurs de charge
3. Semiconducteur extrinsèque
Génération - recombinaison - durée de vie des porteurs
Chapitre V- Phénomènes de transport
1. Conductivité - dérive dans un chmap électrique
2. Diffusion des porteurs
3. Densités d ecourant totales dans un semiconducteur
4. Relation d'Einstein
5. Equations de continuité
6. Equation de Poisson
7. Densités de courant généralisées
8. Piézo-résistance et piézo-électricité
9. Effet Hall
10.Conclusion
Chapitre VI- Jonction pn - diodes à jonction
1. Constitution
2. Etude de la jonction pn à l'équilibre thermodynamique
3. Etude de la jonction pn polarisée
4. Jonctions appliquées aux diodes
Chapitre VII- Le transistor bipolaire
1. Constitution
2. Principe de fonctionnement
3. Effets des recombinaisons
4. Autres effets et limites physiques principales
5. Schémas équivalents électriques du transistor
6. Conclusion
Chapitre VIII- Le transistor à effet de champ à grille isolée - transistor MOS
1. Constitution
2. Principe de fonctionnement
3. Analyse physique de la structure métal oxyde semiconduteur idéale
4. Caractéristique de transistor MOS idéal
5. Schémas équivalents électriques du MOS
5. Défauts cristallins et de surface
Chapitre IX- Le transistor à effet de champ à jonction : transistors JFET
1. COnstitution
2. Symboles
3. Principe de fonctionnement
4. Modélisation simplifiée de la structure
5. Schémas équivalents
6. Conclusion
Chapitre X- La diode métal-semiconducteur : diode Schottky
1. Constitution
2. Diagrammes des bandes d'énergie
3. Etude du contact Schottky : zone de charge d'espace
4. Effet d'abaissement de barrière : effet Schottky
5. Transport à travers la jonction
6. ConclusionCôte titre : Fs/10437-10438,Fs/13800-13802 Composants à semi-conducteurs : De la physique du solide aux transistors [texte imprimé] / Bonnaud,Olivier . - Paris : Ellipses, 2006 . - 1 vol (241 p.) : ill. ; 26 cm. - (Techno sup. Supélec) .
ISBN : 978-2-7298-2804-2
978-2-7298-2804-2
Langues : Français (fre)
Catégories : Physique Mots-clés : Physique du solide Index. décimale : 530 Physique Résumé :
Cours de base à Supélec, l'ouvrage enrichira les connaissances de tout étudiant, ingénieur ou enseignant en EEA, en expliquant clairement les principes et le fonctionnement des composants microélectroniques, qui sont les "briques" constituantes des circuits intégrés et des cartes de tous les systèmes électroniques. Dans une première partie orientée "physique du solide" et focalisée sur les matériaux semiconducteurs, il expose les macanismes de base de la conduction. Puis, dans une seconde partie orientés "dispositifs", il décrit et explique le fonctionnement des principaux composants élémentaires de la microélectronique : diodes, transistors bipolaires, transistors MOS et é effet de champ à jonction... L'approche proposée se démarque des ouvrages classiques, en débutant par une sensibilisation aux phénomènes physiques avant d'en établir le formalisme. De nombreux exemples, exercices et problèmes corrigés confortent l'aspect pratique de l'ouvrage." (source : 4ème de couverture)
Note de contenu :
Sommaire
Chapitre I- Eléments de cristallographie
1. Introduction aux réseaux cristallins
2. Réseaux cristallins
3. Réseau récirpoque
4. Zone de Brillouin
5. Diffraction dans un cristal
6. Représentation du cristal de solicium
Chapitre II- Electrons dans un cristal
1. Potentiel d'un électron dans un cristal
2. Modèle de l'électron libre dans un cristal. Modèle de Sommerfeld
3. Modèle de l'électron quasi-libre dans un cristal
4. Conclusion sur les diagrammes d'énergie
Chapitre III- Notions de statistique, systèmes de particules
1. Pression et énergie d'une molécule dans un gaz parfait
2. Distribution d'énergie des molécules dans un gaz parfait
3. Distribution de Maxwell
4. Fonctions de distribution de Fermi-Dirac
Chapitre IV- Introduction à la physique du semiconducteur
1. Bandes d'énergie
2. Porteurs de charge
3. Semiconducteur extrinsèque
Génération - recombinaison - durée de vie des porteurs
Chapitre V- Phénomènes de transport
1. Conductivité - dérive dans un chmap électrique
2. Diffusion des porteurs
3. Densités d ecourant totales dans un semiconducteur
4. Relation d'Einstein
5. Equations de continuité
6. Equation de Poisson
7. Densités de courant généralisées
8. Piézo-résistance et piézo-électricité
9. Effet Hall
10.Conclusion
Chapitre VI- Jonction pn - diodes à jonction
1. Constitution
2. Etude de la jonction pn à l'équilibre thermodynamique
3. Etude de la jonction pn polarisée
4. Jonctions appliquées aux diodes
Chapitre VII- Le transistor bipolaire
1. Constitution
2. Principe de fonctionnement
3. Effets des recombinaisons
4. Autres effets et limites physiques principales
5. Schémas équivalents électriques du transistor
6. Conclusion
Chapitre VIII- Le transistor à effet de champ à grille isolée - transistor MOS
1. Constitution
2. Principe de fonctionnement
3. Analyse physique de la structure métal oxyde semiconduteur idéale
4. Caractéristique de transistor MOS idéal
5. Schémas équivalents électriques du MOS
5. Défauts cristallins et de surface
Chapitre IX- Le transistor à effet de champ à jonction : transistors JFET
1. COnstitution
2. Symboles
3. Principe de fonctionnement
4. Modélisation simplifiée de la structure
5. Schémas équivalents
6. Conclusion
Chapitre X- La diode métal-semiconducteur : diode Schottky
1. Constitution
2. Diagrammes des bandes d'énergie
3. Etude du contact Schottky : zone de charge d'espace
4. Effet d'abaissement de barrière : effet Schottky
5. Transport à travers la jonction
6. ConclusionCôte titre : Fs/10437-10438,Fs/13800-13802 Exemplaires (5)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité Fs/10437 Fs/10437-10438 livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
Sorti jusqu'au 15/05/2024Fs/10438 Fs/10437-10438 livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
Sorti jusqu'au 08/04/2024Fs/13800 Fs/13800-13802 Livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/13801 Fs/13800-13802 livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleFs/13802 Fs/13800-13802 livre Bibliothéque des sciences Français Disponible
DisponibleEtude par la théorie de la fonctionnelle de la densité des propriétés physiques des composés intermétalliques dans le système Ni-Ga / Farida Zegrar
Titre : Etude par la théorie de la fonctionnelle de la densité des propriétés physiques des composés intermétalliques dans le système Ni-Ga Type de document : texte imprimé Auteurs : Farida Zegrar, Auteur ; Boucetta ,Saïd, Directeur de thèse Editeur : Setif:UFA Année de publication : 2020 Importance : 1 vol (109 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique du solide Index. décimale : 530 Physique Résumé :
Nous avons effectué une étude ab initio en utilisant la méthode du pseudo potentiel et onde
plane (PP-PW) basée sur la DFT afin de déterminer les propriétés structurales, élastiques,
électroniques et thermodynamiques des composés intermétalliques NiGa, Ni3Ga et Ni3Ga4.
L'énergie d'échanges et de corrélation a été traité par l'approximation du gradient généralisé
GGA et l'approximation de la densité local LDA. Nous avons calculé le paramètre de
maille, le module de compression et sa dérivée, les résultats obtenus sont en bon accord
avec les valeurs rapportées dans la littérature.
Les constants élastiques ont été calculées. Les propriétés mécaniques sont déterminé à l'aide
des paramètres mécaniques (le module de YoungCôte titre : DPH/0240 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1Lkko42ukg2MQKoLADw2Ld7R2dJN0lBLd/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Etude par la théorie de la fonctionnelle de la densité des propriétés physiques des composés intermétalliques dans le système Ni-Ga [texte imprimé] / Farida Zegrar, Auteur ; Boucetta ,Saïd, Directeur de thèse . - [S.l.] : Setif:UFA, 2020 . - 1 vol (109 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique du solide Index. décimale : 530 Physique Résumé :
Nous avons effectué une étude ab initio en utilisant la méthode du pseudo potentiel et onde
plane (PP-PW) basée sur la DFT afin de déterminer les propriétés structurales, élastiques,
électroniques et thermodynamiques des composés intermétalliques NiGa, Ni3Ga et Ni3Ga4.
L'énergie d'échanges et de corrélation a été traité par l'approximation du gradient généralisé
GGA et l'approximation de la densité local LDA. Nous avons calculé le paramètre de
maille, le module de compression et sa dérivée, les résultats obtenus sont en bon accord
avec les valeurs rapportées dans la littérature.
Les constants élastiques ont été calculées. Les propriétés mécaniques sont déterminé à l'aide
des paramètres mécaniques (le module de YoungCôte titre : DPH/0240 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1Lkko42ukg2MQKoLADw2Ld7R2dJN0lBLd/view?usp=shari [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DPH/0240 DPH/0240 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
Disponible
Titre : Etude des propriétes structurales et magneti-optiaues des films ultra : In ces déposés parépitaxie pseud omorphiaue Type de document : texte imprimé Auteurs : Abdelhakim Houcher, Auteur ; Mebarek Boukelkoul, Directeur de thèse Année de publication : 2021 Importance : 1 vol (98 f .) Format : 29 cm Langues : Français (fre) Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique du Solide Côte titre : DPH/0262 En ligne : http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/bitstream/123456789/3924/1/th%c3%a8se%20w [...] Format de la ressource électronique : Etude des propriétes structurales et magneti-optiaues des films ultra : In ces déposés parépitaxie pseud omorphiaue [texte imprimé] / Abdelhakim Houcher, Auteur ; Mebarek Boukelkoul, Directeur de thèse . - 2021 . - 1 vol (98 f .) ; 29 cm.
Langues : Français (fre)
Catégories : Thèses & Mémoires:Physique Mots-clés : Physique du Solide Côte titre : DPH/0262 En ligne : http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/bitstream/123456789/3924/1/th%c3%a8se%20w [...] Format de la ressource électronique : Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DPH/0262 DPH/0262 Thèse Bibliothéque des sciences Français Disponible
Disponible