Titre : | Contraintes mécaniques en micro nano et optoélectronique |
Auteurs : | MIreille Mouis ; Anne Ponchet |
Type de document : | texte imprimé |
Editeur : | Paris : Hermès, 2006 |
Collection : | E.G.E.M |
ISBN/ISSN/EAN : | 978-2-7462-1308-1 |
Format : | 1 vol. (448 p.) / ill., couv. ill. / 24 cm |
Note générale : | Index |
Langues originales: | |
Index. décimale : | 621.381 (Electronique) |
Catégories : | |
Mots-clés: | Contraintes (Mécanique) Microélectronique Nanoélectronique Optoélectronique |
Résumé : |
Le Traité Electronique, Génie Electrique, Microsystèmes répond au besoin de disposer d'un ensemble de connaissances, méthodes et outils nécessaires à la maîtrise de la conception, de la fabrication et de l'utilisation des composants, circuits et systèmes utilisant l'électricité, l'optique et l'électronique comme support. Conçu et organisé dans un souci de relier étroitement les fondements physiques et les méthodes théoriques au caractère industriel des disciplines traitées, ce traité constitue un état de l'art structuré autour des quatre grands domaines suivants ; Electronique et micro-électronique, Optoélectronique, Génie électrique, Microsystèmes. Chaque ouvrage développe aussi bien les aspects fondamentaux qu'expérimentaux du domaine qu'il étudie. Une classification des différents chapitres contenus dans chacun, une bibliographie et un index détaillé orientent le lecteur vers ses points d'intérêt immédiats : celui-ci dispose ainsi d'un guide pour ses réflexions ou pour ses choix. Les savoirs, théories et méthodes rassemblés dans chaque ouvrage ont été choisis pour leur pertinence dans l'avancée des connaissances ou pour la qualité des résultats obtenus. |
Note de contenu : |
Sommaire • L'Importance des contraintes en microélectronique. • Théorie de l'élasticité des cristaux. • Introduction à la thermodynamique des systèmes contraints. • Description élastique d'une surface et ses défauts. • Rôle des contraintes mécaniques dans les technologies silicium. • Croissance cristallitique et génération de contraintes. • Relaxation élastique des contraintes. • Relaxation plastique des couches métalliques par dislocations et diffusion de matière. • Phénomènes d'endommagement des films minces : des structures de cloquage aux propriétés mécaniques locales. • Exploitation des contraintes dans les structures à base semi-conducteurs. • Apports et limites d'une approche atomistique de la croissance hétéro-épitaxique. • Utilisation des éléments fins pour l'analyse des contraintes. • Analyse des contraintes et déformations de films minces par diffractions des rayons X et mesure de courbure. • Influence des contraintes sur les propriétés électroniques et optiques des semi-conducteurs. |
Côte titre : |
S8/71470-71472 |
Exemplaires (3)
Cote | Support | Localisation | Disponibilité |
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S8/71470 | Livre | Bibliothèque centrale | Disponible |
S8/71471 | Livre | Bibliothèque centrale | Disponible |
S8/71472 | Livre | Bibliothèque centrale | Disponible |
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