| Titre : | Modélisation et simulation des phénomènes de transport dans la structure métal-isolant-semiconducteur (MIS) |
| Auteurs : | Abdelghani Rahal ; Hamida Ferhat, Auteur |
| Type de document : | document électronique |
| Editeur : | Sétif : Université Ferhat Abbas faculté de technologie département d’électronique, 2014 |
| ISBN/ISSN/EAN : | E-TH/1165 |
| Format : | 1 vol. (75 f.) / ill. |
| Note générale : | Bibliogr. |
| Langues: | Français |
| Catégories : | |
| Résumé : |
La structure métal-isolant-semi conducteur (MIS) est un des composants électroniques les plus importants.Il est utilisé comme capacité à semi-conducteur ,diode tunnel, cellule mémoire,cellule solaire et structure de commande dans les transistors MOSFET. Si la couche d'isolation est assez mince,la structure devient le siége du quasi totalité des phénoméne de transports connus dans la théorie des composants semi-conducteur: dérive, diffusion, génération, recombinaison, tunnel bande à bande, tunnel à travers les états d'interface, etc les conditions d'equilibre de la structure ne peuvent étre trouvées qu'en prenant en compte tous ces phénoménes. |
| En ligne : | http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/bitstream/123456789/1792/1/N%c2%b0%201165%20RAHAL%20ABDELGHANI.rar |
Exemplaires (1)
| Cote | Support | Localisation | Disponibilité |
|---|---|---|---|
| E-TH/1165 | Thèse | Bibliothèque centrale | Disponible |
Accueil
