| Titre : | Simulation des profils de dopage par la méthode de monte carlo des films SI-LPCVD fortement dopes au bore |
| Auteurs : | Abdelaziz Aitkaki ; Messaoud Boukezzata, Directeur de thèse |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | Sétif : Université Ferhat Abbas faculté des sciences de l'ingénieur département d'électrotechnique, 2007 |
| ISBN/ISSN/EAN : | TS4/7567 |
| Format : | 1 vol. (70 f.) / ill. |
| Note générale : | Bibliogr.Annexes |
| Langues: | Français |
| Catégories : | |
| Résumé : |
Les Résultats de profils SIMS de dopage des films de silicium polycristallin (Si-LPCVD type-P) fortement dopés in-situ au bore, avant et après traitements thermiques d'oxydation ont été présentés. Ces mesures ont été faites sur des couches submicroniques d'environ 200 nm d'épaisseur et déposées à deux intéressantes températures de dépôt Td = 520°C et 605 °C. Les premiers dépôts contiennent relativement moins de grains et joints de grains comparés au second type de dépôts. Ce choix délibéré de Td, a permis de spécifier le rôle joué par les grains et joints de grains et leurs influences sur le comportement de la diffusion du dopant. Ces films ont été dopés au bore par le mode in-situ à une concentration de l'ordre de 2 x 1020 at. cm-3. Tout les traitements thermiques d'oxydation ont été réalisés sous oxygène sec O2 à trois différentes températures d'oxydation différentes Tox = 840, 945 et 1050°C pour plusieurs durées. Les changements dans le comportement du profil de dopage semblent être remarquable dans trois régions spécifiques : à la surface, interface et en volume. Prenant en compte, qu'à ces hauts niveaux de dopage, ou le coefficient de diffusion D devient dépendant de la concentration, les valeurs de D ont été calculées à travers les profils SIMS de dopage. Comme attendu, ces valeurs de D obtenues différent de celles observées dans le silicium monocristallin. Elles varient de 1.82 à 2.73 x 10-14 cm2.s-1 à Tox = 840°C, de 1.86 à 3.72 x 10-13 cm2. s-1 à Tox = 945°C et de 3.32 à 44.24 x 10-13 cm2 s-1 à Tox = 1050°C. Ces valeurs sont en bon accord avec celles rapportées dans la littérature. L'effet des joints de grains semble être moins considérable si nous comparons les résultats de D correspondant aux deux dépôts. Ce comportement est compréhensivement discuté si nous supposons que les joints de grains au niveau de la solubilité solide limite sont les sources à plusieurs interactions fondamentales qui seront vraisemblablement la cause de l'inactivité électrique et physique du dopant. Elle peut aussi être représentative du phénomène de ségrégation, de formation des clusters, et des composés complexes, comme il a été largement discuté dans la littérature. |
Exemplaires (1)
| Cote | Support | Localisation | Disponibilité |
|---|---|---|---|
| TS4/7567 | Thèse | Bibliothèque centrale | Disponible |
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