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La réaction à l’état solide entre des films minces de cuivre sur des substrats de silicium Si (100), Si (110) et Si (111), déposés par voie électrochimique et par PVD et ayant subit des recuits sous vide dans l’intervalle 200-400°C pendant 45 [...]
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E-TH/0337 | Thèse | Bibliothèque centrale | Disponible |
La Réaction à l’état solide entre des films minces de cuivre sur des ubstrats de silicium Si (100), Si (110) et Si (111), déposés par voie électrochimique et par PVD et ayant subit des recuits sous vide dans l’intervalle 200-400°C pendant 45 [...]
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TS4/7798 | Thèse | Bibliothèque centrale | Disponible |
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