texte imprimé

Elaboration d'un modele d'une technique evoluee de pompage de charge dans spice3f4 pour la caracterisation des dispositifs submicroniques.

Naima Guenifi, Auteur | Sétif : Université Ferhat Abbas faculté de Technologie département d'électrotechnique | 2000

Plus d'information...

Ajouter au panier

Disponible

Exemplaires (1)

Cote	Support	Localisation	Disponibilité
TS4/3981	Thèse	Bibliothèque centrale	Disponible

document électronique

Modélisation à l’échelle atomique des jonctions fines application à l’étude des mécanismes de dégradation de l’interface Si/SiO2

Naima Guenifi ; F. Djahli, Directeur de thèse | Sétif : Université Ferhat Abbas faculté de technologie département d’électronique

Nous Présentons un ensemble de résultats sur la physique des défauts à l'interface Si/SiO2 dans les composants Métal - Oxyde –Semi conducteur (MOS), défauts responsables de la dégradation et du vieillissement des composants. Ces défauts pourr[...]

Plus d'information...

Ajouter au panier

En ligne

Disponible

Exemplaires (1)

Cote	Support	Localisation	Disponibilité
E-TH/0664	Thèse	Bibliothèque centrale	Disponible

texte imprimé

Modélisation à l’échelle atomique des jonctions fines application à l’étude des mécanismes de dégradation de l’interface Si/SiO2

Naima Guenifi ; F. Djahli, Directeur de thèse | Sétif : Université Ferhat Abbas faculté de technologie département d’électronique

Nous Présentons un ensemble de résultats sur la physique des défauts à l'interface Si/SiO2 dans les composants Métal - Oxyde –Semi conducteur (MOS),défauts responsables de la dégradation et du vieillissement des composants. Ces défauts pourrai[...]

Plus d'information...

Ajouter au panier

Disponible

Exemplaires (1)

Cote	Support	Localisation	Disponibilité
TS4/8212	Thèse	Bibliothèque centrale	Disponible