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TS4/3981 | Thèse | Bibliothèque centrale | Disponible |
Nous Présentons un ensemble de résultats sur la physique des défauts à l'interface Si/SiO2 dans les composants Métal - Oxyde –Semi conducteur (MOS), défauts responsables de la dégradation et du vieillissement des composants.
Ces défauts pourr[...]
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E-TH/0664 | Thèse | Bibliothèque centrale | Disponible |
Nous Présentons un ensemble de résultats sur la physique des défauts à l'interface Si/SiO2 dans les composants Métal - Oxyde –Semi conducteur (MOS),défauts responsables de la dégradation et du vieillissement des composants. Ces défauts pourrai[...]
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TS4/8212 | Thèse | Bibliothèque centrale | Disponible |
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