Titre : | Relaxation dans les semiconducteurs |
Auteurs : | Boumaza,Mohamed, Auteur ; Lamari Saadi, Directeur de thèse |
Type de document : | document électronique |
ISBN/ISSN/EAN : | E-TH/1346 |
Format : | 1 vol. (XIV-166 f.) / ill. |
Note générale : | Tableau. |
Langues: | Français |
Catégories : | |
Note de contenu : |
Sommaire: -Chapitre I: Structure électronique et bandes d'énergie -Chapitre II: Dynamique du réseau -Chapitre III:Interaction trou-phonon dans le modèle massif des phonons -Chapitre IV: Interaction des trous avec les phonons optiques polaires confinés et d'interfaces -Chapitre V:Temps de relaxation de l'impulsion des trous lourds dus aux phonons optiques polaires |
En ligne : | http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/bitstream/123456789/1564/1/these-boumaza.pdf |
Exemplaires (1)
Cote | Support | Localisation | Disponibilité |
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E-TH/1346 | Thèse | Bibliothèque centrale | Disponible |
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